近日，記者走進(jìn)山東國(guó)晶電子科技有限責(zé)任公司位于東營(yíng)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)的無(wú)塵化車間，看到工人正在有條不紊地操作一臺(tái)大型機(jī)器。“別看機(jī)器大，研發(fā)工作卻十分精細(xì)，為的是一種小晶體。”公司董事長(zhǎng)袁占魁告訴記者。

　　袁占魁口中的“小晶體”指的是碳化硅（SiC），是一種硬度僅次于金剛石的半導(dǎo)體�！熬w雖小，本領(lǐng)可不小�！痹伎榻B，碳化硅功率器件具有高耐壓、低損耗、高導(dǎo)熱率等優(yōu)異性能，可以有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化，是新能源汽車、5G通訊、智能電網(wǎng)等未來(lái)支柱產(chǎn)業(yè)必不可少的核心半導(dǎo)體原料。

　　“晶體雖好，但要打破國(guó)外的壟斷很不容易。”袁占魁說(shuō)，掌握成熟工藝的少數(shù)國(guó)家一直實(shí)施嚴(yán)格的科技壁壘政策，想要在競(jìng)爭(zhēng)中取勝，自主研發(fā)是唯一的制勝法門(mén)。

　　成立于2018年的國(guó)晶電子，從事第三代半導(dǎo)體高純碳化硅微粉生產(chǎn)、碳化硅單晶爐的研發(fā)制造，“我們的成長(zhǎng)速度很快，目前，已能自主研發(fā)制造5N碳化硅微粉和6英寸雙坩堝碳化硅單晶爐，一臺(tái)單晶爐可同時(shí)生長(zhǎng)兩個(gè)晶體，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵設(shè)備的空白�！痹伎锌卣f(shuō)，“這中間政府沒(méi)少給我們幫忙！”

　　2018年5月，國(guó)晶電子第三代半導(dǎo)體晶體材料的項(xiàng)目建設(shè)之初，東營(yíng)區(qū)相關(guān)部門(mén)第一時(shí)間組織專家團(tuán)隊(duì)進(jìn)行考察、論證，在此基礎(chǔ)上，對(duì)項(xiàng)目的市場(chǎng)需求、未來(lái)發(fā)展等提出了指導(dǎo)意見(jiàn)�！皷|營(yíng)區(qū)政府全力以赴幫助我們發(fā)展，以注資參股的形式加入，并承諾企業(yè)發(fā)展成熟后退出。在建設(shè)廠房、手續(xù)審批、融資上市等各個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行全方位服務(wù)。因此，我們才能把主要精力都放在研發(fā)上。不然，現(xiàn)在可能還在項(xiàng)目的前期建設(shè)中，政府的幫助為我們爭(zhēng)取到一年多的研發(fā)時(shí)間�！睂�(duì)高科技來(lái)說(shuō)，時(shí)間就是關(guān)鍵，這一年多的時(shí)間也讓國(guó)晶電子掌握了競(jìng)爭(zhēng)的主動(dòng)權(quán)。目前的國(guó)晶電子，僅用了不到一年時(shí)間就建成了一條5N高純碳化硅微粉生產(chǎn)線和6英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)研發(fā)中心，打破了國(guó)外的技術(shù)壟斷。

　　“因?yàn)殚L(zhǎng)晶周期是七天，期間電不能斷，否則將造成不可估量的損失。政府知道后，用了不到一個(gè)月就協(xié)調(diào)安裝了雙回路電源。”袁占魁說(shuō)。

　　展望未來(lái)，袁占魁信心滿滿：“有了政府的保駕護(hù)航，我們要努力讓‘小晶體’實(shí)現(xiàn)一番大作為。我們計(jì)劃未來(lái)2年內(nèi)建成年產(chǎn)100噸高純度5N碳化硅單晶原料生產(chǎn)線，年產(chǎn)200臺(tái)6英寸碳化硅單晶爐設(shè)備制造生產(chǎn)線，屆時(shí)將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值5億元、利稅1.5億元。”